IXFN80N50P
Modulo; transistor singolo; 500V; 66A; SOT227B; avvitabile; 700W
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXFN80N50P
Simbolo TME:
IXFN80N50P
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione drenaggio-fonte | 500V | |
Corrente di drenaggio | 66A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Polarizzazione | unipolare | |
Resistenza nello stato di conduzione | 65mΩ | |
Corrente di drain pulsata | 200A | |
Potenza dissipata | 700W | |
Tecnologia | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Genere di canale | arricchito | |
Carico della porta | 195nC | |
Tempo di prontitudine | 200ns | |
Tensione porta-sorgente | ±30V | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50PQuantità (Molteplicità: 300)
0 in stock presso TME
Prodotto su ordinazione speciale
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz