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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	500V
Corrente di drenaggio	63A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	65mΩ
Corrente di drain pulsata	240A
Potenza dissipata	780W
Tecnologia	HiPerFET™, Q3-Class
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	200nC
Tempo di prontitudine	250ns
Tensione porta-sorgente	±40V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXFN80N50Q3

Modulo; transistor singolo; 500V; 63A; SOT227B; avvitabile; 780W

Specifica