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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	IGBT
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione invertita max.	0,6kV
Corrente del collettore	120A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Tensione porta - emettitore	±20V
Corrente del collettore nel impulso	800A
Potenza dissipata	595W
Tecnologia	GenX3™
Montaggio meccanico	avvitabile

IXGN120N60A3

Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 600V; Ic: 120A; SOT227B

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