IXGN200N170
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXGN200N170
Simbolo TME:
IXGN200N170
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione invertita max. | 1,7kV | |
Corrente del collettore | 160A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 1,05kA | |
Potenza dissipata | 1,25kW | |
Tecnologia | NPT | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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* IXGN200N170Quantità (Molteplicità: 1)
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