IXGN50N120C3H1
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXGN50N120C3H1
Simbolo TME:
IXGN50N120C3H1
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 50A | |
Cassa | SOT227B | |
Montaggio elettrico | avvitabile | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 240A | |
Potenza dissipata | 460W | |
Tecnologia | GenX3™, PT | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo37.05 g
Certificati
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* IXGN50N120C3H1Quantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 42.35 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 51.66 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 38.14 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 46.53 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 33.74 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 41.16 EUR
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 10 pz