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Produttore	IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore	Transistor MOSFET
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte	-100V
Corrente di drenaggio	-210A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Polarizzazione	unipolare
Resistenza nello stato di conduzione	7,5mΩ
Corrente di drain pulsata	-800A
Potenza dissipata	830W
Tecnologia	TrenchP™
Genere di canale	arricchito
Carico della porta	740nC
Tempo di prontitudine	200ns
Tensione porta-sorgente	±15V
Montaggio meccanico	avvitabile

IXTN210P10T

Modulo; transistor singolo; -100V; -210A; SOT227B; avvitabile

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