IXTN30N100L
Modulo; transistor singolo; 1kV; 30A; SOT227B; avvitabile; Idm: 70A
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
IXTN30N100L
Simbolo TME:
IXTN30N100L
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1kV | ||
Corrente di drenaggio | 30A | ||
Cassa | SOT227B | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 0,45Ω | ||
Corrente di drain pulsata | 70A | ||
Potenza dissipata | 800W | ||
Tecnologia | Linear™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 545nC | ||
Tempo di prontitudine | 1µs | ||
Tensione porta-sorgente | ±40V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo30 g
Certificati
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* IXTN30N100LQuantità (Molteplicità: 1)
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