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IXYN100N65B3D1

Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B

Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXYN100N65B3D1
Simbolo TME:
IXYN100N65B3D1

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione invertita max.
650V
Corrente del collettore
100A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
490A
Potenza dissipata
600W
Tecnologia
GenX3™, XPT™
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo30 g
Certificati
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IXYN100N65B3D1
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