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IXYN120N120C3

Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A; SOT227B


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
IXYN120N120C3
Simbolo TME:
IXYN120N120C3

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
transistor singolo
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
120A
Cassa
SOT227B
Montaggio elettrico
avvitabile
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
700A
Potenza dissipata
1,2kW
Tecnologia
GenX3™, XPT™
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo30 g
Certificati
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IXYN120N120C3
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