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MCNA120UI2200TED

Modulo: IGBT; diodo/tiristore/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
MCNA120UI2200TED
Simbolo TME:
MCNA120UI2200TED

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/tiristore/IGBT
Topologia
boost chopper, ponte 3-fase a diodo-tiristore, termistore NTC
Tensione invertita max.
2,2kV
Corrente del collettore
80A
Cassa
E2-Pack
Applicazione
ondulatore
Montaggio elettrico
Press-in PCB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
150A
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo10 g
Certificati
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MCNA120UI2200TED
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