MIEB101H1200EH
Modulo: IGBT; transistor/transistor; ponte ad H; Urmax: 1,2kV
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
MIEB101H1200EH
Simbolo TME:
MIEB101H1200EH
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor/transistor | |
Topologia | ponte ad H | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 128A | |
Cassa | E3-Pack | |
Applicazione | fotovoltaico, motori | |
Montaggio elettrico | Press-in PCB | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Potenza dissipata | 630W | |
Tecnologia | Sonic FRD™, SPT+ | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo10 g
Certificati
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* MIEB101H1200EHQuantità (Molteplicità: 1)
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 197.10 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 240.47 USD
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 173.92 USDPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 212.18 USD
Prezzo netto per quantità da 5 pz - 156.52 USDPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 190.96 USD