MII200-12A4
Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Ic: 180A
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
MII200-12A4
Simbolo TME:
MII200-12A4
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | transistor/transistor | |
Topologia | semi ponte IGBT | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 180A | |
Cassa | Y3-DCB | |
Applicazione | motori | |
Montaggio elettrico | avvitabile, FASTON connettori | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 360A | |
Potenza dissipata | 1,13kW | |
Tecnologia | NPT | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo10 g
Certificati
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* MII200-12A4Quantità (Molteplicità: 1)
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