MKI100-12F8
Modulo: IGBT; diodo/transistor; ponte ad H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
MKI100-12F8
Simbolo TME:
MKI100-12F8
Specifica
Produttore | IXYS | |
Tipo di modulo a semiconduttore | IGBT | |
Struttura del semiconduttore | diodo/transistor | |
Topologia | ponte ad H | |
Tensione invertita max. | 1,2kV | |
Corrente del collettore | 125A | |
Cassa | E3-Pack | |
Montaggio elettrico | Press-in PCB | |
Tensione porta - emettitore | ±20V | |
Corrente del collettore nel impulso | 200A | |
Potenza dissipata | 640W | |
Tecnologia | HiPerFRED™, NPT | |
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo300 g
Certificati
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* MKI100-12F8Quantità (Molteplicità: 1)
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