+1 500 000 prodotti nell’offerta

7000 pacchi giornalmente

+300 000 clienti da 150 paesi

Quick Buy Preferiti
Carrello

A causa della festività pubblica del 26.08.2026 (Festa del Santo Patrono), informiamo che l’ufficio di Bergamo rimarrà chiuso in tale giornata. Le attività riprenderanno regolarmente il 27.08.2026.

NXH450B100H4Q2F2PG

Modulo: IGBT; diodo SiC/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Produttore: ONSEMI

Indicazione del produttore:
NXH450B100H4Q2F2PG
Simbolo TME:
NXH450B100H4Q2F2PG

Specifica

Produttore
ONSEMI
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo SiC/transistor
Tensione invertita max.
1kV
Corrente del collettore
450A
Applicazione
ondulatore, per UPS
Montaggio elettrico
Press-Fit
Tensione porta - emettitore
±20V
Tecnologia
SiC
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo100 g
Certificati
Scopri gli altri prodotti di questa categoria: Moduli IGBT ONSEMI,
*
NXH450B100H4Q2F2PG
0 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 36 pz - 133.25 GBPPrezzo lordo per quantità da 36 pz - 162.56 GBP
Quantità (Molteplicità: 36)