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STGD4M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 4A; 68W; DPAK

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGD4M65DF2
Simbolo TME:
STGD4M65DF2

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo del transistor
IGBT
Tensione collettore-emettitore
650V
Corrente del collettore
4A
Potenza dissipata
68W
Cassa
DPAK
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
16A
Montaggio
SMD
Carico della porta
15,2nC
Genere di confezione
bobina, nastro
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo1 g
Certificati
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STGD4M65DF2
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Prezzo netto per quantità da 1 pz - 1.31 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 1.59 EUR
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