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STGP10M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGP10M65DF2
Simbolo TME:
STGP10M65DF2

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo del transistor
IGBT
Tensione collettore-emettitore
650V
Corrente del collettore
10A
Potenza dissipata
115W
Cassa
TO220AB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
40A
Montaggio
THT
Carico della porta
28nC
Genere di confezione
tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo1.986 g
Certificati
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STGP10M65DF2
150 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 1.88 USDPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 2.29 USD
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 1.22 USDPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 1.49 USD
Prezzo netto per quantità da 50 pz - 0.98 USDPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 1.19 USD
Prezzo netto per quantità da 100 pz - 0.94 USDPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 1.15 USD
Quantità (Molteplicità: 1)
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 50 pz