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STGP30M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB

Documentazioni EN
Famiglia di prodotti

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGP30M65DF2
Simbolo TME:
STGP30M65DF2

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo del transistor
IGBT
Tensione collettore-emettitore
650V
Corrente del collettore
30A
Potenza dissipata
258W
Cassa
TO220AB
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
120A
Montaggio
THT
Carico della porta
80nC
Genere di confezione
tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo1.997 g
Certificati
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STGP30M65DF2
189 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 2.20 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 2.68 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 1.98 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 2.41 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 1.61 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 1.97 EUR
Prezzo netto per quantità da 50 pz - 1.22 EURPrezzo lordo per quantità da 50 pz - 1.48 EUR
Prezzo netto per quantità da 100 pz - 1.09 EURPrezzo lordo per quantità da 100 pz - 1.34 EUR
Prezzo netto per quantità da 150 pz - 1.06 EURPrezzo lordo per quantità da 150 pz - 1.30 EUR
Quantità (Molteplicità: 1)
Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 50 pz