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STGW30M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO247-3


Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGW30M65DF2
Simbolo TME:
STGW30M65DF2

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo del transistor
IGBT
Tensione collettore-emettitore
650V
Corrente del collettore
30A
Potenza dissipata
258W
Cassa
TO247-3
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
120A
Montaggio
THT
Carico della porta
80nC
Genere di confezione
tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo5 g
Certificati
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STGW30M65DF2
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