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STGWT40H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P


Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGWT40H65DFB
Simbolo TME:
STGWT40H65DFB

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo del transistor
IGBT
Tensione collettore-emettitore
650V
Corrente del collettore
40A
Potenza dissipata
283W
Cassa
TO3P
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
160A
Montaggio
THT
Carico della porta
0,21µC
Genere di confezione
tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo5.2 g
Certificati
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STGWT40H65DFB
25 in stock presso TME
Prezzo netto per quantità da 1 pz - 3.85 EURPrezzo lordo per quantità da 1 pz - 4.70 EUR
Prezzo netto per quantità da 3 pz - 3.58 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 4.37 EUR
Prezzo netto per quantità da 10 pz - 3.00 EURPrezzo lordo per quantità da 10 pz - 3.65 EUR
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz