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STGWT60H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 60A; 375W; TO3P

Documentazioni EN
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Famiglia di prodotti

Produttore: STMicroelectronics

Indicazione del produttore:
STGWT60H65DFB
Simbolo TME:
STGWT60H65DFB

Specifica

Produttore
STMicroelectronics
Tipo del transistor
IGBT
Tensione collettore-emettitore
650V
Corrente del collettore
60A
Potenza dissipata
375W
Cassa
TO3P
Tensione porta - emettitore
±20V
Corrente del collettore nel impulso
240A
Montaggio
THT
Carico della porta
306nC
Genere di confezione
tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori
integrated anti-parallel diode
Peso lordo5.21 g
Certificati
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STGWT60H65DFB
45 in stock presso TME
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Prezzo netto per quantità da 5 pz - 3.28 EURPrezzo lordo per quantità da 5 pz - 4.00 EUR
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Metodo di confezionamento del produttoreTubetto = 30 pz