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Produttore	VISHAY
Tipo di modulo a semiconduttore	IGBT
Struttura del semiconduttore	transistor singolo
Tensione invertita max.	1,2kV
Corrente del collettore	80A
Cassa	SOT227B
Montaggio elettrico	avvitabile
Tensione porta - emettitore	±20V
Corrente del collettore nel impulso	170A
Tecnologia	Trench
Proprieta degli elementi semiconduttori	integrated anti-parallel diode
Montaggio meccanico	avvitabile

VS-GT80DA120U

Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B

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