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VUI30-12N1

Modulo: IGBT; diodo/transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A


Produttore: IXYS

Indicazione del produttore:
VUI30-12N1
Simbolo TME:
VUI30-12N1

Specifica

Produttore
IXYS
Tipo di modulo a semiconduttore
IGBT
Struttura del semiconduttore
diodo/transistor
Topologia
3-phase PFC
Tensione invertita max.
1,2kV
Corrente del collettore
65A
Cassa
V1-A-Pack
Applicazione
ondulatore
Montaggio elettrico
FASTON connettori
Tensione porta - emettitore
±20V
Tecnologia
FRED, NPT
Montaggio meccanico
avvitabile
Peso lordo50 g
Certificati
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VUI30-12N1
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