U bekijkt de website voor klanten uit: Nederland. Op basis van uw locatiegegevens is de voorgestelde pagina voor u VS / US

Bel +31 40 737 04 57

QuickBuy Favorieten

Wij informeren dat op 14.09.2025 tussen 10:00-11:30 (CEST) kunnen er problemen zijn met de toegang tot de online service en bestellingen. Onze excuses voor het ongemak.

Gegevens worden verwerkt

Uw kredietlimiet is overschreden. De bestelling wordt geaccepteerd, maar zal niet worden gerealiseerd. De leveringstermijn voor de bestelde artikelen wordt ook niet bepaald. Neem contact op met TME.

De bewerking is succesvol voltooid.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het nog eens.

Producent	IXYS
Type halfgeleidermodule	MOSFET transistor
Structuur van semiconductor	enkele transistor
Spanning dren-bron	100V
Drainstroom	360A
Behuizing	SOT227B
Elektrische montage	geschroefd
Polarisatie	unipolair
Weerstand in geleidingstoestand	2,6mΩ
Gepulseerde drainstroom	900A
Vermogensdissipatie	830W
Technologie	GigaMOS™, HiPerFET™
Soort kanaal	verrijkt
Lading op de poort	525nC
Tijd gereedheid	130ns
Gate-source spanning	±30V
Mechanische montage	geschroefd

IXFN360N10TIXYS-Module

Module; enkele transistor; 100V; 360A; SOT227B; geschroefd; 830W

Aanduiding van de fabrikant:
IXFN360N10T

Symbool TME: IXFN360N10T

Specificatie

IXFN360N10TIXYS-Module

Module; enkele transistor; 100V; 360A; SOT227B; geschroefd; 830W

Aanduiding van de fabrikant: IXFN360N10T

Symbool TME: IXFN360N10T

Specificatie

Aanduiding van de fabrikant:
IXFN360N10T