GeneSiC SEMICONDUCTOR

GeneSiC Semiconductor werd in 2002 opgericht in de VS en richtte zich al meteen vanaf het begin op het ontwikkelen, testen en produceren van innovatieve componenten in de nieuwe technologie van siliciumcarbide (SiC, van silicon carbide). De vruchten van deze inspanningen zijn vooral de SiC-diodes en -transistoren die zich onderscheiden door hun lage verliezen, hoge rendement en weerstand tegen hoge bedrijfstemperaturen. Deze oplossingen worden overal gebruikt waar de omstandigheden of vereisten de mogelijkheden van de klassieke siliciumtechnologie te boven gaan – vooral in omvormers voor hernieuwbare energie, krachtige controllers die worden gebruikt op het gebied van industriële automatisering en stroomopwekking, alsmede militaire toepassingen en nog vele andere gebieden.

De TME-catalogus bevat een reeks halfgeleidercomponenten van GenaSiC, waarin siliciumcarbide is gebruikt. Dat zijn o.a. de. Schottkydiodes (zowel THT, als SMD) met stroomsterkte tot 50 A (400 A in impuls) en diodemodules (geschroefd) met maximale stroomsterkte tot 420 A (800 A in impuls). Uit het portfolio van de leverancier bieden we ook unipolaire transistoren, MOSFET-modules en aanverwante componenten aan.