GD2X100MPS06N
Moduł: diodowy; podwójna niezależna; 650V; If: 108Ax2; SOT227B
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Oznaczenie producenta:
GD2X100MPS06N
Symbol TME:
GD2X100MPS06N
Specyfikacja
Producent | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Typ modułu półprzewodnikowego | diodowy | |
Struktura półprzewodnika | podwójna niezależna | |
Napięcie wsteczne maks. | 650V | |
Prąd przewodzenia | 108A x2 | |
Obudowa | SOT227B | |
Napięcie przewodzenia maks. | 1,8V | |
Prąd w impulsie maks. | 0,44kA | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Prąd przewodzenia maks. | 231A | |
Montaż mechaniczny | przykręcany | |
Właściwości elementów półprzewodnikowych | MPS | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Technologia | SiC | |
Czas gotowości | 10ns |
Masa brutto35.52 g
Certyfikaty
Zobacz pozostałe produkty z tej kategorii: Moduły diodowe GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* GD2X100MPS06NIlość sztuk (Wielokrotność: 1)
68 w magazynie TME
Cena netto dla ilości od 1 szt - 39.61 USDCena brutto dla ilości od 1 szt - 48.72 USD
Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych
Sposób pakowania przez producentaTuba = 10 szt