APTM100A13SCG
Módulo; díodo SiC/transístor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APTM100A13SCG
Símbolo TME:
APTM100A13SCG
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | díodo SiC/transístor | ||
Tensão dreno-fonte | 1kV | ||
Corrente de dreno | 49A | ||
Caixa | SP6C | ||
Topologia | meia ponte MOSFET + díodos em série + díodos paralelos | ||
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | ||
Resistência no estado de condução | 156mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 240A | ||
Potência dissipada | 1,25kW | ||
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto300 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
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* APTM100A13SCGQuantidade de unidades (Multiplicidade: 4)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 263.98 USDPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 324.70 USD
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