APTM100H45SCTG
Módulo; díodo SiC/transístor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; roscado
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APTM100H45SCTG
Símbolo TME:
APTM100H45SCTG
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | díodo SiC/transístor | ||
Tensão dreno-fonte | 1kV | ||
Corrente de dreno | 14A | ||
Caixa | SP4 | ||
Topologia | ponte H + díodos paralelos, termístor NTC | ||
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | ||
Resistência no estado de condução | 0,54Ω | ||
Corrente de dreno em impulso | 72A | ||
Potência dissipada | 357W | ||
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto160 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
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* APTM100H45SCTGQuantidade de unidades (Multiplicidade: 6)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 6 itens - 143.63 EURPreço bruto para as quantidades de 6 itens - 176.66 EUR
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