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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 1kV | ||
Corrente de dreno | 97A | ||
Caixa | SP6C | ||
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 70mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 516A | ||
Potência dissipada | 2,272kW | ||
Tecnologia | POWER MOS 7® | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |