APTM120DA30CT1G
Módulo; díodo SiC/transístor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APTM120DA30CT1G
Símbolo TME:
APTM120DA30CT1G
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | díodo SiC/transístor | ||
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | ||
Corrente de dreno | 23A | ||
Caixa | SP1 | ||
Topologia | boost chopper, termístor NTC | ||
Montagem elétrica | Press-in PCB | ||
Resistência no estado de condução | 0,36Ω | ||
Corrente de dreno em impulso | 195A | ||
Potência dissipada | 657W | ||
Tecnologia | POWER MOS 8®, SiC | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto80 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GQuantidade de unidades (Multiplicidade: 12)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 12 itens - 56.33 GBPPreço bruto para as quantidades de 12 itens - 69.28 GBP
Oferta disponível para clientes com sessão iniciada