APTM120DA30T1G
Módulo; díodo/transístor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APTM120DA30T1G
Símbolo TME:
APTM120DA30T1G
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | díodo/transístor | ||
Tensão dreno-fonte | 1,2kV | ||
Corrente de dreno | 23A | ||
Caixa | SP1 | ||
Topologia | boost chopper, termístor NTC | ||
Montagem elétrica | Press-in PCB | ||
Resistência no estado de condução | 0,36Ω | ||
Corrente de dreno em impulso | 195A | ||
Potência dissipada | 657W | ||
Tecnologia | POWER MOS 8® | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto80 g
Certificados
A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca
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* APTM120DA30T1GQuantidade de unidades (Multiplicidade: 15)
0 em stock na TME
Preço líquido para as quantidades de 15 itens - 55.20 EURPreço bruto para as quantidades de 15 itens - 67.89 EUR
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