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Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | |
Estrutura do semicondutor | díodo SiC/transístor | |
Tensão dreno-fonte | 500V | |
Corrente de dreno | 67A | |
Caixa | SP4 | |
Topologia | meia ponte MOSFET + díodos em série + díodos paralelos, termístor NTC | |
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | |
Resistência no estado de condução | 45mΩ | |
Corrente de dreno em impulso | 360A | |
Potência dissipada | 694W | |
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensão descarga-fonte | ±30V | |
Montagem mecânica | roscado |