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B2M030120N

Módulo; transístor individual; 1,2kV; 47A; SOT227B; roscado; 223W

Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR

Referência do Fabricante:
B2M030120N
Símbolo TME:
B2M030120N

Especificação

Fabricante
BASiC SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semicondutor
transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor
transístor individual
Tensão dreno-fonte
1,2kV
Corrente de dreno
47A
Caixa
SOT227B
Montagem elétrica
roscado
Polarização
unipolar
Resistência no estado de condução
50mΩ
Corrente de dreno em impulso
151A
Potência dissipada
223W
Tecnologia
SiC
Espécie de canal
enriquecido
Tensão descarga-fonte
-4...18V
Montagem mecânica
roscado
Propriedades de dispositivos semicondutores
  • derivação Kelvin
  • integrated anti-parallel diode
Peso bruto1 g
Certificados

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca

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B2M030120N
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Preço líquido para as quantidades de 150 itens - 10.95 USDPreço bruto para as quantidades de 150 itens - 13.47 USD
Quantidade de unidades (Multiplicidade: 150)