STB120N4F6
Transístor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
Fabricante: STMicroelectronics
Referência do Fabricante:
STB120N4F6
Símbolo TME:
STB120N4F6
Especificação
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transístor | N-MOSFET | |
Tecnologia | SuperMesh™ | |
Polarização | unipolar | |
Tensão dreno-fonte | 40V | |
Corrente de dreno | 80A | |
Corrente de dreno em impulso | 320A | |
Potência dissipada | 110W | |
Caixa | D2PAK | |
Tensão descarga-fonte | ±20V | |
Resistência no estado de condução | 4mΩ | |
Montagem | SMD | |
Espécie de embalagem | fita, rolo | |
Espécie de canal | enriquecido |
Peso bruto0.025 g
Certificados
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* STB120N4F6Quantidade de unidades (Multiplicidade: 1 000)
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Preço líquido para as quantidades de 1000 itens - 0.96 EURPreço bruto para as quantidades de 1000 itens - 1.17 EUR