A2C50S65M2
Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Producator: STMicroelectronics
Denumire producător:
A2C50S65M2
Simbol TME:
A2C50S65M2
Specificații
Producător | STMicroelectronics | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | diodă/tranzistor | |
Topologie | boost chopper, Punte de diodă trifazată, semipunte IGBT x3, Termistor NTC | |
Tensiune inversă max. | 650V | |
Curent de colector | 50A | |
Carcasă | ACEPACK™2 | |
Utilizare | invertor, motoare | |
Montare electrică | Press-in PCB | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 100A | |
Putere disipată | 208W | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută50 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT STMicroelectronics,
* A2C50S65M2Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 77.46 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 93.72 USD