+1 500 000 produse în ofertă
6000 colete expediate zilnic
+300 000 clienţi din 150 de ţări
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | diodă SiC/tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1kV | |
Curent drenă | 49A | |
Carcasă | SP6C | |
Topologie | semipunte MOSFET + diode serie + diode paralel | |
Montare electrică | FASTON terminali, înşurubare | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 156mΩ | |
Curent de drenă în impuls | 240A | |
Putere disipată | 1,25kW | |
Tehnologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |