+1 500 000 produse în ofertă

7000 colete expediate zilnic

+300 000 clienţi din 150 de ţări

Quick Buy Favorite
Coş

Vă informăm că în data de 06.09.2026. între orele 08:00 - 11:00 (CEST) pot apărea probleme legate de accesul la site şi la comenzile on-line. Ne cerem scuze pentru neplăcerile create.

APTM120DA30CT1G

Modul; diodă SiC/tranzistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W


Producator: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denumire producător:
APTM120DA30CT1G
Simbol TME:
APTM120DA30CT1G

Specificații

Producător
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tip modul semiconductor
cu tranzistor MOSFET
Structura semiconductorului
diodă SiC/tranzistor
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Curent drenă
23A
Carcasă
SP1
Topologie
boost chopper, Termistor NTC
Montare electrică
Press-in PCB
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,36Ω
Curent de drenă în impuls
195A
Putere disipată
657W
Tehnologie
POWER MOS 8®, SiC
Tensiune poartă-sursă
±30V
Montare mecanică
înşurubare
Masa brută80 g
Certificate

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. este importator al produselor acestei mărci

Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120DA30CT1G
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 12 buc - 62.62 GBPPrețul brut pentru cantitățile de la 12 buc - 75.77 GBP
Număr de bucăți (Multiplu: 12)
Cantitatea minimă care poate fi comandată: 12.
Multiplu: 12.