APTM120DA30T1G
Modul; diodă/tranzistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A
Producator: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denumire producător:
APTM120DA30T1G
Simbol TME:
APTM120DA30T1G
Specificații
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | diodă/tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1,2kV | |
Curent drenă | 23A | |
Carcasă | SP1 | |
Topologie | boost chopper, Termistor NTC | |
Montare electrică | Press-in PCB | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,36Ω | |
Curent de drenă în impuls | 195A | |
Putere disipată | 657W | |
Tehnologie | POWER MOS 8® | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută80 g
Certificate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. este importator al produselor acestei mărci
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30T1GNumăr de bucăți (Multiplu: 15)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 15 buc - 63.22 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 15 buc - 76.49 USD
Ofertă disponibilă pentru clienții conectați