APTM120U10SCAVG
Modul; diodă SiC/tranzistor; 1,2kV; 86A; SP6; înşurubare; Idm: 464A
Producator: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denumire producător:
APTM120U10SCAVG
Simbol TME:
APTM120U10SCAVG
Specificații
Producător | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | diodă SiC/tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 1,2kV | |
Curent drenă | 86A | |
Carcasă | SP6 | |
Topologie | tranzistor individual + diodă serie + diodă paralel | |
Montare electrică | înşurubare | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,12Ω | |
Curent de drenă în impuls | 464A | |
Putere disipată | 3,29kW | |
Tehnologie | POWER MOS 7®, SiC | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută300 g
Certificate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. este importator al produselor acestei mărci
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGNumăr de bucăți (Multiplu: 3)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 310.16 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 375.30 USD
Ofertă disponibilă pentru clienții conectați