IXFN60N80P
Modul; mono-tranzistor; 800V; 53A; SOT227B; înşurubare; Idm: 150A
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXFN60N80P
Simbol TME:
IXFN60N80P
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | cu tranzistor MOSFET | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune drenă-sursă | 800V | |
Curent drenă | 53A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Polarizare | unipolar | |
Rezistenţă în timpul funcţionării | 0,14Ω | |
Curent de drenă în impuls | 150A | |
Putere disipată | 1,04kW | |
Tehnologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Subtip canal | îmbogăţit | |
Încărcătură poartă | 250nC | |
Timp de restabilire | 250ns | |
Tensiune poartă-sursă | ±30V | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută37.31 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PNumăr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 39.86 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 48.23 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 2 buc - 38.36 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 2 buc - 46.41 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 3 buc - 36.96 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 3 buc - 44.72 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 35.76 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 43.26 EUR
Metoda de ambalare de către producătorTub = 10 buc