IXGN200N170
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B; NPT
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXGN200N170
Simbol TME:
IXGN200N170
Specificații
Producător | IXYS | ||
Tip modul semiconductor | IGBT | ||
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | ||
Tensiune inversă max. | 1,7kV | ||
Curent de colector | 160A | ||
Carcasă | SOT227B | ||
Montare electrică | înşurubare | ||
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | ||
Curent de colector pulsat | 1,05kA | ||
Putere disipată | 1,25kW | ||
Tehnologie | NPT | ||
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXGN200N170Număr de bucăți (Multiplu: 1)
0 în stoc la TME
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 56.68 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 68.58 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 52.25 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 63.22 EUR
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 50.42 EURPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 61.00 EUR