IXGN200N170
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B; NPT
Producator: IXYS
Denumire producător:
IXGN200N170
Simbol TME:
IXGN200N170
Specificații
Producător | IXYS | |
Tip modul semiconductor | IGBT | |
Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
Tensiune inversă max. | 1,7kV | |
Curent de colector | 160A | |
Carcasă | SOT227B | |
Montare electrică | înşurubare | |
Tensiunea poartă - emitor | ±20V | |
Curent de colector pulsat | 1,05kA | |
Putere disipată | 1,25kW | |
Tehnologie | NPT | |
Montare mecanică | înşurubare |
Masa brută30 g
Certificate
Vedeți alte produse din această categorie: Module IGBT IXYS,
* IXGN200N170
0 în stoc la TME
Număr de bucăți (Multiplu: 1)
Prețul net pentru cantitățile de la 1 buc - 64.43 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 1 buc - 77.96 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 5 buc - 59.39 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 5 buc - 71.86 USD
Prețul net pentru cantitățile de la 10 buc - 57.31 USDPrețul brut pentru cantitățile de la 10 buc - 69.34 USD