+1 500 000 produkter som erbjuds

6000 paket skickas varje dag

+300 000 kunder från 150 länder

Quick Buy Favoriter
Varukorg

Vi meddelar att den 12.07.2026 mellan kl. 08:00 -11:00 (CEST) kan det förekomma problem med tillgång till webbsidan och on-linebeställningar. Vi ber om ursäkt för eventuella besvär.

Vänligen kontakta din marknadsrepresentant. Bjud in oss till ett onlinemöte.

APTM120DA30CT1G

Modul; SiC-diod/transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W

Tillverkare: MICROCHIP TECHNOLOGY

Tillverkarens benämning:
APTM120DA30CT1G
TMEs Symbol:
APTM120DA30CT1G

Specifikation

Tillverkare
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ av halvledarmodul
transistor MOSFET
Halvledarstruktur
SiC-diod/transistor
Drän-källa spänning
1,2kV
Dränspänning
23A
Kapsling
SP1
Topologi
boost chopper, NTC-termistor
Elektriskt montage
Press-in PCB
Ledresistans
0,36Ω
Pulserande drain-ström
195A
Effektdissipation
657W
Teknik
POWER MOS 8®, SiC
Port-källa spänning
±30V
Mekaniskt montage
skruvad
Bruttovikt80 g
Certificates

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. är importör av produkter av detta varumärke

Se övriga produkter i denna kategori: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120DA30CT1G
0 i lager hos TME
Nettopris för kvantiteter från 12 st - 74.60 USDBruttopris för kvantiteter från 12 st - 93.24 USD
Antal stycken (Multipel: 12)