APT75GT120JRDQ3
Modul: IGBT; samostatný tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Výrobca: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označenie výrobcu:
APT75GT120JRDQ3
Symbol TME:
APT75GT120JRDQ3
Špecifikácie
Výrobca | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ polovodičového modulu | IGBT | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Max. záverné napätie | 1,2kV | |
Kolektorový prúd | 57A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Napätie hradlo - emitor | ±20V | |
Impulzný kolektorový prúd | 300A | |
Technológia | NPT, POWER MOS 7® | |
Druh balenia | tuba | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto30 g
Potvrdenia
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je importérom produktov tejto značky
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Moduly IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GT120JRDQ3Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 57.40 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 70.59 EUR
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 51.66 EURHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 63.54 EUR
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 45.65 EURHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 56.15 EUR
Ponuka je k dispozícii pre prihlásených zákazníkov