+1 500 000 produktov v ponuke
6000 zásielok denne
+300 000 klientov zo 150 krajín
Výrobca | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | dióda SiC/tranzistor | |
Napätie drain-source | 1kV | |
Prúd drainu | 110A | |
Kryt | SP6 | |
Topológia | samostatný tranzistor + sériová dióda + paralelná dióda | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Odpor v zopnutom stave | 78mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 580A | |
Rozptýlenie energie | 3,25kW | |
Technológia | POWER MOS 7®, SiC | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |