+1 500 000 produktov v ponuke

7000 zásielok denne

+300 000 klientov zo 150 krajín

Zaregistruj sa

Oznamujeme, že dňa 06.09.2026. v 08:00 - 11:00 (CEST) hod. sa môžu vyskytnúť problémy s prístupom na webovú stránku a s objednávkami on-line. Ospravedlňujeme sa za vzniknuté ťažkosti.

Prebieha spracovanie údajov

Váš kreditný limit bol prekročený. Objednávka bude prijatá, ale nebude realizovaná. Nebude tiež stanovený harmonogram dodávok pre objednané položky. Kontaktujte zamestnanca TME.

Operácia bola vykonaná úspešne.

Došlo k neočakávanej chybe. Skúste to ešte raz.

Výrobca	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ polovodičového modulu	tranzistorový MOSFET
Štruktúra polovodiča	dióda/tranzistor
Napätie drain-source	1,2kV
Prúd drainu	86A
Kryt	SP6C
Topológia	samostatný tranzistor + sériová dióda + paralelná dióda
Elektrická montáž	konektory FASTON, priskrutkovaním
Odpor v zopnutom stave	0,12Ω
Impulzný prúd kolektora	464A
Rozptýlenie energie	3,29kW
Technológia	POWER MOS 7®
Napätie gate-source	±30V
Mechanická montáž	priskrutkovaním

APTM120U10SAG

Modul; dióda/tranzistor; 1,2kV; 86A; SP6C; Idm: 464A; 3,29kW

Špecifikácie

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je importérom produktov tejto značky