APTM120U10SCAVG
Modul; dióda SiC/tranzistor; 1,2kV; 86A; SP6; priskrutkovaním
Výrobca: MICROCHIP TECHNOLOGY
Označenie výrobcu:
APTM120U10SCAVG
Symbol TME:
APTM120U10SCAVG
Špecifikácie
Výrobca | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | ||
Štruktúra polovodiča | dióda SiC/tranzistor | ||
Napätie drain-source | 1,2kV | ||
Prúd drainu | 86A | ||
Kryt | SP6 | ||
Topológia | samostatný tranzistor + sériová dióda + paralelná dióda | ||
Elektrická montáž | priskrutkovaním | ||
Odpor v zopnutom stave | 0,12Ω | ||
Impulzný prúd kolektora | 464A | ||
Rozptýlenie energie | 3,29kW | ||
Technológia | POWER MOS 7®, SiC | ||
Napätie gate-source | ±30V | ||
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto300 g
Potvrdenia
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je importérom produktov tejto značky
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGPočet kusov (Mnohonásobnosť: 3)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 268.97 EURHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 330.83 EUR
Ponuka je k dispozícii pre prihlásených zákazníkov