BGH50N65HS1
Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Výrobca: BASiC SEMICONDUCTOR
Označenie výrobcu:
BGH50N65HS1
Symbol TME:
BGH50N65HS1
Špecifikácie
Výrobca | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Typ tranzistora | IGBT | |
Technológia | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Napätie kolektor-emitor | 650V | |
Kolektorový prúd | 50A | |
Rozptýlenie energie | 357W | |
Kryt | TO247-3 | |
Napätie hradlo - emitor | ±20V | |
Impulzný kolektorový prúd | 200A | |
Montáž | THT | |
Náboj hradla | 308nC | |
Druh balenia | tuba | |
Čas príťahu | 54ns | |
Čas odpadu | 256ns | |
Vlastnosti polovodičových súčiastok | integrated anti-parallel diode |
Hmotnosť brutto6.26 g
Potvrdenia
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je importérom produktov tejto značky
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Tranzistory IGBT THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH50N65HS1Počet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
34 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 11.04 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 13.59 USD
Čistá cena pre množstvá od 5 ks - 9.93 USDHrubá cena pre množstvá od 5 ks - 12.22 USD
Čistá cena pre množstvá od 30 ks - 8.77 USDHrubá cena pre množstvá od 30 ks - 10.79 USD
Čistá cena pre množstvá od 150 ks - 7.35 USDHrubá cena pre množstvá od 150 ks - 9.04 USD
Čistá cena pre množstvá od 600 ks - 7.09 USDHrubá cena pre množstvá od 600 ks - 8.73 USD
Produkt dostupný len do vyčerpania skladových zásob
Spôsob balenia výrobcomTuba = 30 ks