G3R20MT12N
Modul; samostatný tranzistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; Idm: 240A; 365W
Výrobca: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Označenie výrobcu:
G3R20MT12N
Symbol TME:
G3R20MT12N
Špecifikácie
Výrobca | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1,2kV | |
Prúd drainu | 74A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 20mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 240A | |
Rozptýlenie energie | 365W | |
Technológia | G3R™, SiC | |
Druh kanálu | obohatený | |
Napätie gate-source | -5...15V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto35.39 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
105 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 47.65 EURHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 58.61 EUR
Čistá cena pre množstvá od 5 ks - 45.79 EURHrubá cena pre množstvá od 5 ks - 56.32 EUR
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 44.92 EURHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 55.25 EUR
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks