G3R20MT17N
Modul; samostatný tranzistor; 1,7kV; 70A; SOT227B; Idm: 300A; 523W
Výrobca: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Označenie výrobcu:
G3R20MT17N
Symbol TME:
G3R20MT17N
Špecifikácie
Výrobca | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 1,7kV | |
Prúd drainu | 70A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 20mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 300A | |
Rozptýlenie energie | 523W | |
Technológia | G3R™, SiC | |
Druh kanálu | obohatený | |
Napätie gate-source | -5...15V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto35.44 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR
* G3R20MT17N
Spôsob balenia výrobcom:Tuba = 10 ks