IXFN170N30P
Modul; samostatný tranzistor; 300V; 138A; SOT227B; Idm: 500A; 890W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN170N30P
Symbol TME:
IXFN170N30P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 300V | |
Prúd drainu | 138A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 18mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 500A | |
Rozptýlenie energie | 890W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 258nC | |
Čas zotavenia | 200ns | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto29.8 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 45.42 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 55.87 USD
Čistá cena pre množstvá od 3 ks - 44.01 USDHrubá cena pre množstvá od 3 ks - 54.14 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 41.09 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 50.54 USD
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks