IXFN200N10P
Modul; samostatný tranzistor; 100V; 200A; SOT227B; Idm: 400A; 680W
Výrobca: IXYS
Označenie výrobcu:
IXFN200N10P
Symbol TME:
IXFN200N10P
Špecifikácie
Výrobca | IXYS | |
Typ polovodičového modulu | tranzistorový MOSFET | |
Štruktúra polovodiča | samostatný tranzistor | |
Napätie drain-source | 100V | |
Prúd drainu | 200A | |
Kryt | SOT227B | |
Elektrická montáž | priskrutkovaním | |
Polarizácia | unipolárny | |
Odpor v zopnutom stave | 7,5mΩ | |
Impulzný prúd kolektora | 400A | |
Rozptýlenie energie | 680W | |
Technológia | HiPerFET™, Polar™ | |
Druh kanálu | obohatený | |
Náboj hradla | 235nC | |
Čas zotavenia | 150ns | |
Napätie gate-source | ±30V | |
Mechanická montáž | priskrutkovaním |
Hmotnosť brutto37.04 g
Potvrdenia
Zobraziť ostatné produkty v tejto kategórii: Transistor modules IXYS,
* IXFN200N10PPočet kusov (Mnohonásobnosť: 1)
0 na sklade v TME
Čistá cena pre množstvá od 1 ks - 27.33 USDHrubá cena pre množstvá od 1 ks - 33.61 USD
Čistá cena pre množstvá od 5 ks - 24.28 USDHrubá cena pre množstvá od 5 ks - 29.86 USD
Čistá cena pre množstvá od 10 ks - 23.43 USDHrubá cena pre množstvá od 10 ks - 28.81 USD
Spôsob balenia výrobcomTuba = 10 ks